我公司提供的RTP晶体Q开关，采用双晶体结构，两块晶体光轴彼此垂直，可以自动补偿环境温度变化，是一种无需温控的激光器件。除此之外，RTP晶体器件还具有下列明显优势：

1. 适用波长：450nm - 3μm，器件消光比 ＞ 23 dB

2. 双晶体总的电容量很小， 5mm长晶体的总电容量为2-3pF或10mm长晶体的总电容量为3-4pF，可实现脉冲上升/下降时间：0.5-5ns

3. 与其它电光Q相比，具有较低的半波电压，更容易控制

4. 晶体内部质量好，光学吸收低，双晶体的总体透光率>98.5%

5. 动态、静态半波电压基本一致，易于安装和调节

6. 适用于高频操作，开关频率可达1MHz

7. 小巧的外形和较低的操作电压，使其更适于新型的光纤与碟片激光器应用

8. 15x15mm²口径器件可用于大型军工和航天用途激光器

9. 使用温度﹣50-70℃，无需温控

10. 晶体损伤阈值达1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脉宽

11. 晶体不潮解，介电常数低，优良的电学稳定性，可长期承受外加电压

12. 在高频工作时，极低的振铃效应，远远低于BBO电光Q的振铃效应

RTP晶体电光Q型号定义规则

• 型号：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W

• Ty ‐ 晶体类别: R (RTP)

• D ‐ 电光器件: Q (电光Q)，M (双晶体结构)，或S (单晶体结构)

• O ‐ 晶体切割方向: X / Y / Z

• Cr ‐ 晶体截面 [mm]

• L ‐ 晶体长度 [mm]

• E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]

• W ‐ 工作激光波长 [nm]